キセノン管のフラッシュ回路の設計を承ります。

キセノン管のフラッシュ回路の事例２および３を紹介します。

事例２ではフラッシュ用コンデンサ（330V 330μF 3本）には昇圧された310Vの電圧が蓄えられます。
キセノン管は２本直列型を使用していますのでトリガーコイルによってトリガーをかけるときには同時にキセノン管には310Vの２倍の電圧を加えます。
そのためにキセノン管はIGBTというスイッチング素子を介してコンデンサと接続されています。
このフラッシュ回路には１０段階の発光量の切替ができますが、IGBTのパルス幅で発光量を切り替えています。
またこのフラッシュには単発で全コンデンサのエネルギーを発光することと、パッパッパッと３連発で発光させる 切替があります。そのためにトライアックというスイッチング素子を３つ使用しています。
写真２の真ん中より少し左にあるパワートランジスタのような形の物が上から３つがトライアックで一番下がIGBTです。

事例３ではフラッシュ用コンデンサに360V 1000μF 4本を用い電圧は320Vを蓄えています。
基板は本体部と操作・表示部と手に持つハンド部の３つに別れてそれぞれに積んだマイコンでシリアル通信をしています。
その他は事例２と同じですが、ものすごく強力な光を放ちます。
コンデンサに蓄えられたエネルギーは 1/2CV2 ですので事例２の場合は47.6J、事例３では205Jあります。（J：ジュール）
このエネルギーは黒い紙に光を当てると煙が出るくらい強いレベルです。

安田電子設計事務所にはキセノン管のフラッシュ回路設計技術がありますので、各種フラッシュ回路を提供できます。